konkret: conrad.com Computer Shop!
|
|
http://www.glossar.de/glossar/z_ram.htm
640 KBytes (Arbeitsspeicher)
ist alles, was irgendeine Applikation jemals ben÷tigen sollte.
(Bill Gates, 1981) |
Abkⁿrzung fⁿr "Random Access Memory" • Der
Arbeitsspeicher eines Computers hei▀t RAM, weil man auf jede Speicherzelle wahlfrei
zugreifen kann. RAMs sind in der Regel flⁿchtige Speicher - sie verlieren ihre Inhalte,
wenn kein Strom mehr flie▀t.(Vielleicht) wichtig zu wissen:
- DDR (Double Data Rate)
Als die viel diskutierte und von INTEL
unterstⁿtzte Rambus-Technik Mitte 1999 Probleme mit
der Marktreife bekam, setzten Chiphersteller wie Hitachi, Hyundai oder IBM wieder auf die
Weiterentwicklung von SDRAM in Form der
DDR-Speichertechnik. WΣhrend "normale" SDRAM-Module 1999 bei einem 133 MHz Front-Side-Bus (FSB) einen Datendurchsatz von 1,1
GByte pro Sekunde leisteten, waren DDR-Module doppelt so schnell. M÷glich wird dies durch
einen relativ simplen Trick: Die Datenbits werden bei der ab- und aufsteigenden Flanke des
Taktsignals ⁿbertragen, statt wie bisher nur bei der aufsteigenden. Erste Boards und
Speicherchips kamen Ende 1999 auf den Markt.
Gegenⁿber der von INTEL favorisierten Direct-RDRAM-(Rambus)-L÷sung hat DDR einige
Vorteile: Die Hersteller ben÷tigen keine neuen Produktionsmaschinen und DDR ist ein
offener Standard, dessen Spezifikationen im Internet offenliegen; Lizenzgebⁿhren an INTEL
oder Rambus werden also nicht fΣllig.
Der DDR-Nachfolger - DDR2 - soll Transferraten von 3,2 GByte pro Sekunde bringen.
- DRAM (Dynamic RAM)
Beim dynamischen Schreib-/Lesespeicher (DRAM) mⁿssen die Ladungen zyklisch mit
einem sogenannten Refresh-Impuls immer wieder aufgefrischt werden, um die Daten in den
Speicherzellen zu halten. Der Nachteil: Die Zugriffszeit
durch Refresh-Vorgang und Wartezeiten des Prozessors liegt h÷her als beim SDRAM. Der
Vorteil: DRAM ist kostengⁿnstig, erwΣrmt sich weniger und hat durch seine einfachere
Struktur eine h÷here Integrationsdichte.
Hochfliegende PlΣne hat Samsung:
Das Unternehmen will mit 0,13-Mikron-Technik 4-GBit-DRAM-Chips fertigen. Die Chips mit 500
MB SpeicherkapazitΣt gehen zwar erst in zehn Jahren in die Massenproduktion. Die Technik
lΣ▀t sich laut Hersteller jedoch auch bei bestehenden Produkten - etwa den
preisgⁿnstigen 16-MBit-DRAM-Chips einsetzen.
- DRDRAM (Direct Rambus Dynamic RAM)
siehe Rambus
- EDO (Extended Data-Out) DRAM
Der EDO DRAM (oder Hyper PageMode DRAM) arbeitet Σhnlich wie der FPM-Speicher, ist aber schneller dank ─nderungen des
CAS (Column Address Signal) und des verlΣngerten Data-Outputs. Diese Chips k÷nnen
Datenwerte noch zum Auslesen bereit halten, wΣhrend bereits die nΣchste Adresse angelegt
wird. Das beschleunigt LesevorgΣnge.
Im Vergleich mit SDRAM ist EDO-Speicher langsamer.
- FC-RAM (Fast Cycle RAM)
Bei der sogenannten Fast Cycle (FC)RAM-Technik wird die interne Leistung des Chips
gesteigert - im Gegensatz zum Direct-Rambus-Verfahren,
das die Schnittstellengeschwindigkeit zwischen Chip und Prozessor erh÷ht. Die von Fujitsu
und Toshiba initiierten Bausteine sind zwei- bis dreimal schneller als DRAM.
- FeRAM (Ferro-electric RAM)
siehe MRAM
- FPM (Fast Page Mode) DRAM
FPM war lange der DRAM-Standard, ist aber mittlerweile veraltet und wird von EDO - noch mehr von SDRAM
- ⁿbertroffen. FPM DRAM optimiert den Zugriff auf Daten: Fragt der Prozessor nach Daten,
die in derselben Reihe einer Seite wie die der zuletzt angeforderten liegen, mu▀ der
Speichercontroller nur noch die Spaltenposition adressieren.
- MRAM (Speicherchips hoher Packungsdichte auf Magnetbasis)
Bevor das Silizium Einzug in die Speichermedien gehalten hat, basierten diese auf
magnetisierbaren Eisenkernen - mit dem Vorteil, da▀ auch bei einer Stromunterbrechung
gespeicherte Informationen nicht verlorengingen; das Booten war dadurch ⁿberflⁿssig und
wird durch MRAMs - auch FeRAMs genannt - wieder ⁿberflⁿssig werden, da sich das gesamte
System immer im Hauptspeicher befindet. Au▀erdem k÷nnten diese Speicherchips fⁿr
wesentlich leichtere Notebooks sorgen, denn die heute (2001) verwendeten RAMs ben÷tigen
in bestimmten AbstΣnden energieaufwendige Refresh-Spannungsst÷▀e (siehe DRAM), um fit zu bleiben; diese entfallen bei den MRAMs.
Bis es soweit ist, wird allerdings noch etwas Zeit vergehen. Prof. Burkhard Hillebrands
von der Uni Kaiserslautern entwickelt diese Chips in Zusammenarbeit mit Siemens. Er
glaubt, dass serienreife MRAMs frⁿhestens im Jahr 2005 auf den Markt kommen werden; siehe
auch:
- RDRAM (Rambus DRAM)
siehe Rambus
- SDRAM (Synchronous DRAM)
Der Nachfolger von EDO synchronisiert sich
mit dem Systemtakt, der den Prozessor kontrolliert. Das verhindert Zeitverz÷gerungen beim
Zugriff. Eine Datenserie (Burst) wird zⁿgig ⁿbertragen.
SDRAM hat eine v÷llig andere Architektur als klassisches DRAM und ist wesentlich
schneller. Diesen Speichertyp gibt es als 168-polige DIMM-Module
fⁿr System mit 66MHz und 100MHz Bustakt.
- SLDRAM (Synchronous Link DRAM)
Im September 1998 wollte Mosaid
 erste Muster seiner Synchronous-Link-DRAM-Chips an Compaq, Hewlett-Packard und IBM ausliefern. Diese
64-MBit-Chips schaffen laut Hersteller Datenraten von bis zu 800 MB/s. SLDRAM soll
hauptsΣchlich in High-End-PCs und Servern eingesetzt werden (siehe auch www.sldram.com).
- SRAM (Static RAM)
Im statischen Schreib-und-Lesespeicher erhΣlt ein stΣndig fliegender Ruhestrom
die gespeicherte Informationen aufrecht. Vorteil: SRAM braucht keinen Refresh, ist daher
um einiges schneller als DRAM und lΣ▀t sich einfacher ansteuern. Nachteile: H÷here
Leistungsaufnahme und stΣrkere ErwΣrmung.
|
