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- ist. In der amorphen Phase sind die Atome un-
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- regelmäßig angeordnet und der Widerstand
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- hoch, in der kristallinen Phase regelmäßig und
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- der Widerstand ist niedrig. F├╝r den Wechsel
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- wird das zwischen zwei metallischen Elektro-
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- den befind- liche Material mit unterschied-
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- lichen Temperaturen mehr oder weniger kurz
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- erhitzt.
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- Als Material dient eine Chalkogen-Verbindung
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- und ist dem von einer CD-RW oder DVD-RAM
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- ähnlich, die ebenfalls im Phasenwechsel Daten
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- speichern. Bei den Scheiben wird der Wechsel
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- aber durch Erhitzen des Materials mit einem
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- Laser bewirkt. Bei Phase Change Memory ha-
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- ben es die Entwickler geschafft, das Speicher-
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- medium in den Festk├╢rper zu integrieren.
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- F├╝r den Wechsel in den Reset-Zustand wird ein
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- Teil des Phasenwechelmaterials durch einen
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- Strompuls höherer Stromstärke (von meist
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- mehreren Hundert Mikroampere) bei sehr ge-
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- ringer Dauer von etwa 50 Nanosekunden
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- erhitzt und damit in den amorphen Zustand
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- ├╝berf├╝hrt.
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- Das Material k├╝hlt sich dann so schnell wieder
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- ab, dass es im amorphen Zustand bleibt. F├╝r
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- den Wechsel in den kristallinen Set-Zustand
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- wird das Material einem längeren Strompuls
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- von etwa 100 Nanosekunden mit geringerer
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- Stromstärke (von bis zu wenigen hundert Mi-
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- kroampere) ausgesetzt und so lange auf eine
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- bestimmte Temperatur gebracht, dass sich
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- Keime bilden und die Kristallisation eintritt.
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- Zum Auslesen der Daten wird eine Spannung
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- mit so geringer Stromstärke angelegt, dass die
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- Temperatur im Material nicht die f├╝r den Pha-
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- senwechsel kritische H├╢he erreicht. Je nach-
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- dem, ob ein amorpher oder kristalliner Zustand
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- vorherrscht, ändert sich der Stromfluss, und
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- damit k├╢nnen die Informationen ausgelesen
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- werden.
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- Der Durchbruch, der den Forschern aus Tai-
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- wan gelungen sein will, ist eine Schreib- oder
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- Reset-Stromstärke von 0,5 mA bei einem Re-
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- set-Puls von 50 ns.