home *** CD-ROM | disk | FTP | other *** search
/ NetNews Usenet Archive 1992 #26 / NN_1992_26.iso / spool / sci / material / 867 < prev    next >
Encoding:
Internet Message Format  |  1992-11-08  |  1.1 KB
  1. Path: sparky!uunet!ogicse!sequent!news.orst.edu!hobo.ECE.ORST.EDU!monson
  2. From: monson@hobo.ECE.ORST.EDU (Ty Monson)
  3. Newsgroups: sci.materials
  4. Subject: Re: Schottky contacts on p-silicon ?
  5. Message-ID: <BxBGBw.522@news.orst.edu>
  6. Date: 6 Nov 92 22:40:36 GMT
  7. Article-I.D.: news.BxBGBw.522
  8. References: <spe_pa.16.0@physik.uni-paderborn.de>
  9. Sender: usenet@news.orst.edu
  10. Organization: ECE Dept.,OSU,Corvallis
  11. Lines: 14
  12. Nntp-Posting-Host: hobo.ece.orst.edu
  13.  
  14. In article <spe_pa.16.0@physik.uni-paderborn.de> spe_pa@physik.uni-paderborn.de (Peter Alteheld) writes:
  15.  (stuff deleted)
  16. >So, is there anybody out there who has experience in 
  17. >preparing this kind of contacts ?
  18. >             
  19.  I don't know the "best" way to prepare these contacts, but I got
  20.  Schottky contacts on p-type Si by sputtering Titanium on the Si,
  21.  followed by a layer of Aluminum.
  22.  
  23.  The Si must be clean, of course. After chemical cleaning, I introduced
  24.  the specimen to the ion beam immediately prior to metal deposition
  25.  in order to sputter away any remaining contamination. As I said, I
  26.  don't know if this is the best method, but I did get schottky diodes,
  27.  and I was able to do DLTS measurements with these contacts.
  28.