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/ NetNews Usenet Archive 1992 #26 / NN_1992_26.iso / spool / comp / cad / cadence / 481 < prev    next >
Encoding:
Text File  |  1992-11-11  |  1.3 KB  |  40 lines
  1. Newsgroups: comp.cad.cadence
  2. Path: sparky!uunet!zaphod.mps.ohio-state.edu!rpi!scott.skidmore.edu!psinntp!psinntp!newstand.syr.edu!cat.syr.edu!yegna
  3. From: yegna@cat.syr.edu (Yegnashankar Parasuram)
  4. Subject: MOS threshold voltage ...
  5. Message-ID: <1992Nov11.211230.4289@newstand.syr.edu>
  6. Organization: CASE Center, Syracuse University
  7. Date: Wed, 11 Nov 92 21:12:29 EST
  8. Lines: 30
  9.  
  10. Hi,
  11.  
  12. I understand the threshold voltage of the P and N MOSFETs can be varied
  13. during the fabrication process. 
  14.    
  15. For an NMOS FET  Vt = 0.809 volts (SPICE model)
  16.  
  17. What is the lowest threshold voltage that most fabrication processes
  18. can achieve ? Can it be reduced to say 0.3 volts ...
  19. Are there any disadvantages in reducing it ???
  20.  
  21. Thanks,
  22.  
  23. -Yegna
  24.  
  25. #########################################################################
  26.  
  27. The contents of this article are the author's own views - they do not 
  28. represent the view of any organisation such as the CASE centre or 
  29. Syracuse University.
  30.  
  31. #########################################################################
  32. # Yegnashankar Parasuram.                        #
  33. # Graduate Student at CE Department of Syracuse University.        #
  34. # Office  : 2-128, Centre for Science & Technology.            #
  35. # email   : yegna@cat.syr.edu.                        #
  36. #########################################################################
  37.  
  38. "THERE IS NOTHING THAT CANNOT BE DONE, UNLESS YOU THINK IT CAN'T BE DONE"
  39.  
  40.