home *** CD-ROM | disk | FTP | other *** search
/ NetNews Usenet Archive 1993 #1 / NN_1993_1.iso / spool / sci / material / 1107 < prev    next >
Encoding:
Text File  |  1993-01-12  |  1.4 KB  |  33 lines
  1. Newsgroups: sci.materials
  2. Path: sparky!uunet!haven.umd.edu!darwin.sura.net!bogus.sura.net!howland.reston.ans.net!usc!sdd.hp.com!ux1.cso.uiuc.edu!news.cso.uiuc.edu!uxa.cso.uiuc.edu!gambit
  3. From: gambit@uxa.cso.uiuc.edu ()
  4. Subject: Chemical thinning of GaAs
  5. Message-ID: <C0rE0A.4pp@news.cso.uiuc.edu>
  6. Sender: usenet@news.cso.uiuc.edu (Net Noise owner)
  7. Organization: University of Illinois at Urbana
  8. Date: Tue, 12 Jan 1993 20:52:55 GMT
  9. Keywords: TEM, sample preparation
  10. Lines: 21
  11.  
  12.  
  13. I am currently trying to improve TEM sample preparation for gallium
  14. arsenide specimens.  My present method of production is by dimpling
  15. the GaAs to about 50 microns, and then using chemical thinning to
  16. produce an electron transparent region.  However, I have not been getting
  17. very useful results after the chemical thinning.  This is either a result
  18. of the thinning process itself (I am using sulfuric acid and hydrogen 
  19. peroxide) or the cleaning process afterwards.  The process is time-consuming
  20. as well.  I would like to be able to improve it as much as possible, but
  21. am having difficulty finding any references on this technique.
  22.  
  23. Does anyone know of any reference materials on chemical thinning of
  24. semiconductors?  Please E-mail me if you do.  Thanks in advance!
  25.  
  26. ------------------------
  27.  
  28. Benjamin W. Lagow
  29. Grad Res Asst, Dept. of Materials Science and Engineering
  30. University of Illinois at Urbana-Champaign
  31.  
  32.  
  33.