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Text File  |  1986-09-04  |  3KB  |  78 lines
  1. * Library of MOSFET model parameters (for "power" MOSFET devices)
  2. *
  3. * This is a reduced version of MicroSim's power MOSFET model library.
  4. *   You are welcome to make as many copies of it as you find convenient.
  5. *
  6. * Release date: January 15, 1986
  7. *
  8. * The parameters in this model library were derived from the data
  9. * sheets for each part.  The methods used were as follows:
  10. *    LEVEL        Set to 3 (short-channel device).
  11. *    TOX        Determined from gate ratings.
  12. *    L, LD, W, WD    Assume L=2u.  Calculate from input capacitance.
  13. *    XJ, NSUB    Assume usual technology.
  14. *    IS, RD, RB    Determined from "source-drain diode forward voltage"
  15. *            specification or curve (Idr vs. Vsd).
  16. *    RS        Determine from Rds(on) specification.
  17. *    RDS        Calculated from Idss specification or curves.
  18. *    VTO, UO, THETA    Determined from "output characteristics" curve family
  19. *            (Ids vs. Vds, stepped Vgs).
  20. *    ETA, VMAX, CBS    Set for null effect.
  21. *    CBD, PB, MJ    Determined from "capacitance vs. Vds" curves.
  22. *    RG        Calculate from rise/fall time specification or curves.
  23. *    CGSO, CGDO    Determined from gate-charge, turn-on/off delay and
  24. *            rise time specifications.
  25. *
  26. * NOTE:    when specifying the instance of a device in your circuit file:
  27. *
  28. *    BE SURE to have the source and bulk nodes connected together, as this
  29. *    is the way the real device is constructed.
  30. *
  31. *    DO NOT include values for L, W, AD, AS, PD, PS, NRD, or NDS.
  32. *    The PSpice default values for these parameters are taken into account
  33. *    in the library model statements.  Of course, you should NOT reset
  34. *    the default values using the .OPTIONS statement, either.
  35. *
  36. * Example use:    M17    15 23 7 7    IRF150
  37. *
  38. * - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
  39. *
  40. * The "power" MOSFET device models benefit from relatively complete specifi-
  41. * cation of static and dynamic characteristics by their manufacturers.  The
  42. * following effects are modeled:
  43. *    - DC transfer curves in forward operation,
  44. *    - gate drive characteristics and switching delay,
  45. *    - "on" resistance,
  46. *    - reverse-mode "body-diode" operation.
  47. *
  48. * The factors not modeled include:
  49. *    - maximum ratings (eg. high-voltage breakdown),
  50. *    - safe operating area (eg. power dissipation),
  51. *    - latch-up,
  52. *    - noise.
  53. *
  54. * For high-current switching applications, we advise that you include
  55. * series inductance elements, for the source and drain, in your circuit file.
  56. * In doing so, voltage spikes due to di/dt will be modeled.  According to the
  57. * 1985 International Rectifier databook, the following case styles have lead
  58. * inductance values of:
  59. *    TO-204 (modified TO-3)    source = 12.5nH        drain = 5.0nH
  60. *    TO-220            source =  7.5nH        drain = 3.5-4.5nH
  61. * - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
  62. *
  63. * IRF150, from 1985 Siliconix databook, pages 1-7,8 and 5-22,3
  64. *
  65. .MODEL    IRF150    NMOS(LEVEL=3 TOX=.10U L=3.0U LD=.5U W=2.0 WD=0 XJ=1.2U
  66. +        NSUB=4E14 IS=2.1E-14 RB=0 RD=.01 RS=.03 RDS=1E6 VTO=3.25
  67. +        UO=550 THETA=.1 ETA=0 VMAX=1E6 CBS=1P CBD=4000P PB=.7 MJ=.5
  68. +        RG=4.9 CGSO=1690P CGDO=365P CGBO=1P)
  69. *
  70. * IRF9130, from 1985 International Rectifier databook, pages D-187,92
  71. *
  72. .MODEL    IRF9130    PMOS(LEVEL=3 TOX=.1U L=3.0U LD=.5U W=1.3 WD=0 XJ=1.2U
  73. +        NSUB=4E14 IS=2.1E-14 RB=0 RD=.03 RS=.2 RDS=5E5 VTO=-3.7
  74. +        UO=600 THETA=.1 ETA=0 VMAX=1E6 CBS=1P CBD=2000P PB=.7 MJ=.5
  75. +        RG=5 CGSO=520P CGDO=180P CGBO=1P)
  76. *
  77. * End of library file
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